Elektron deliği

Elektron deliği, toplumun farklı alanlarını kapsaması nedeniyle son yıllarda büyük ilgi gören bir konu. Ortaya çıkışından bu yana, birbiriyle çelişen görüşler üreten ve etrafındaki bilgileri zenginleştiren bir tartışma, araştırma ve yansıma konusu haline geldi. Bu makalede, Elektron deliği'i çevreleyen farklı yönleri inceleyerek tarihini, gelişimini ve bugünkü etkisini inceleyeceğiz. Dünya çapında pek çok insanın dikkatini çeken bu olguyu tam olarak anlamak için farklı bakış açılarını, kanıtları ve argümanları analiz edeceğiz.

Elektron deliği

Elektron deliği, fizik, kimya ve elektronik mühendisliğinde, bir atomda veya atomik kafeste bulunabilecek bir konumda elektron eksikliğidir. Normal bir atom veya kristal kafeste elektronların negatif yükü atom çekirdeğinin pozitif yükü ile dengelendiğinden, elektronun yokluğu deliğin bulunduğu yerde net bir pozitif yük bırakır.

Metal veya yarı iletken kristal kafesteki delikler, elektronların yapabildiği gibi kafes içinde hareket edebilir ve pozitif yüklü parçacıklara benzer şekilde hareket edebilir.[1] Transistörler, diyotlar ve entegre devreler gibi yarı iletken cihazların çalışmasında önemli bir rol oynarlar. Bir elektron daha yüksek bir duruma uyarılırsa, eski durumunda bir boşluk bırakır. Bu anlam, Auger elektron spektroskopisinde (ve diğer x-ışını tekniklerinde), hesaplamalı kimyada ve kristallerdeki (metaller, yarı iletkenler) düşük elektron-elektron saçılma oranını açıklamak için kullanılır. Temel parçacıklar gibi davransalar da, delikler aslında parçacıklar değil, sanki parçacıklardır; elektronun antiparçacığı olan pozitrondan farklıdırlar.

Kristallerde, elektronik bant yapısı hesaplamaları, bir bandın tepesinde tipik olarak negatif olan elektronlar için etkin bir kütleye yol açar. Negatif kütle, sezgisel olmayan bir kavramdır ve bu durumlarda, pozitif bir kütle ile pozitif bir yük düşünülerek daha tanıdık bir resim bulunur.

Kaynakça

  1. ^ Ashcroft and Mermin (1976). Solid State Physics (1.1url=https://archive.org/details/solidstatephysic00ashc/page/299 bas.). Holt, Rinehart, and Winston. ss. 299-302. ISBN 978-0030839931.